PHD55N03LT和PHD55N03LTA,118

对比图

型号 PHD55N03LT PHD55N03LTA,118 PHD55N03LTA

描述 MOSFET N-CH 25V 55A DPAKMOSFET N-CH 25V 55A DPAKPHD55N03LTA N沟道MOSFET 25V 4A TO-252/D-PAK marking/标记 PHD55N03LTA 雪崩能量/桥电路中使用

数据手册 ---

制造商 Philips (飞利浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

封装 - TO-252-3 TO-252

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 - TO-252-3 TO-252

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.38 mm -

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 14 mΩ -

耗散功率 - 85 W -

漏源极电压(Vds) - 25 V -

漏源击穿电压 - 25 V -

上升时间 - 45 ns -

输入电容(Ciss) - 950pF @25V(Vds) -

下降时间 - 40 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

耗散功率(Max) - 85W (Tc) -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -