对比图
型号 HGTG12N60A4D IXGH50N60B2 IGW60T120
描述 HGTG12N60A4D系列 600 V 54 A 法兰安装 SMPS N沟道 IGBT-TO-247Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 400000mW 3Pin(3+Tab) TO-247INFINEON IGW60T120 单晶体管, IGBT, 60 A, 2.4 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
引脚数 3 - 3
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 1200 V
额定功率(Max) 167 W 400 W 375 W
针脚数 3 - 3
耗散功率 167 W - 375 W
反向恢复时间 30 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -40 ℃
耗散功率(Max) 167000 mW - 375 W
额定功率 - - 375 W
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 - - 15.9 mm
宽度 - - 5.3 mm
高度 - - 20.95 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not For New Designs Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99