BU508AF和TIP131

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BU508AF TIP131 BU508AFI

描述 对于标准清晰度CRT显示器高压NPN功率晶体管 High voltage NPN power transistor for standard definition CRT display达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power Transistors高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTORS

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 ISOWATT-218 TO-220-3 SOT-93-3

额定电压(DC) - 80.0 V 700 V

额定电流 - 8.00 A 8.00 A

极性 NPN - NPN

耗散功率 50 W 70 W 50 W

增益频宽积 - - 7 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 700 V 80 V 700 V

集电极最大允许电流 - - 8A

额定功率(Max) 50 W 2 W 50 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) 50000 mW - 50000 mW

最小电流放大倍数(hFE) 10 @100mA, 5V 1000 @4A, 4V -

直流电流增益(hFE) 30 - -

长度 - 10.28 mm 16.2 mm

宽度 - 4.82 mm 5.65 mm

高度 - 9.28 mm 14.9 mm

封装 ISOWATT-218 TO-220-3 SOT-93-3

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

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