IRF3415和IRF3415PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF3415 IRF3415PBF AUIRF3415

描述 TO-220AB N-CH 150V 43AINFINEON  IRF3415PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 150 V, 42 mohm, 10 V, 4 VINFINEON  AUIRF3415  晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 150 V, 0.042 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 - 200 W 200 W

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 42.0 mΩ 0.042 Ω 0.042 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 200 W 200 W 200 W

阈值电压 - 4 V 2 V

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V

连续漏极电流(Ids) 43.0 A 43.0 A 43A

上升时间 55 ns 55 ns 55 ns

输入电容(Ciss) - 2400pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds)

下降时间 69 ns 69 ns 69 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 200W (Tc) 200W (Tc)

额定电压(DC) 150 V 150 V -

额定电流 43.0 A 43.0 A -

产品系列 IRF3415 IRF3415 -

漏源击穿电压 150V (min) 150 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

输入电容 - 2400pF @25V -

热阻 - 0.75℃/W (RθJC) -

额定功率(Max) - 200 W -

长度 - 10 mm 10.66 mm

宽度 - 4.4 mm 4.82 mm

高度 - 8.77 mm 16.51 mm

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free 无铅

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

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