对比图
型号 IRF3415 IRF3415PBF AUIRF3415
描述 TO-220AB N-CH 150V 43AINFINEON IRF3415PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 150 V, 42 mohm, 10 V, 4 VINFINEON AUIRF3415 晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 150 V, 0.042 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 - 200 W 200 W
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 42.0 mΩ 0.042 Ω 0.042 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 200 W 200 W 200 W
阈值电压 - 4 V 2 V
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V
连续漏极电流(Ids) 43.0 A 43.0 A 43A
上升时间 55 ns 55 ns 55 ns
输入电容(Ciss) - 2400pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds)
下降时间 69 ns 69 ns 69 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 200W (Tc) 200W (Tc)
额定电压(DC) 150 V 150 V -
额定电流 43.0 A 43.0 A -
产品系列 IRF3415 IRF3415 -
漏源击穿电压 150V (min) 150 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
输入电容 - 2400pF @25V -
热阻 - 0.75℃/W (RθJC) -
额定功率(Max) - 200 W -
长度 - 10 mm 10.66 mm
宽度 - 4.4 mm 4.82 mm
高度 - 8.77 mm 16.51 mm
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
材质 - - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free 无铅
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - No SVHC -