对比图
型号 IPD60R600C6ATMA1 IPD60R600C6BTMA1 IPD60R750E6
描述 N沟道 600V 7.3ADPAK N-CH 600V 7.3AINFINEON IPD60R750E6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 - - 3
漏源极电阻 540 mΩ - 0.68 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 63 W 63 W 48 W
阈值电压 2.5 V - 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 7.3A 7.3A 5.7A
上升时间 9 ns 9 ns 7 ns
输入电容(Ciss) 440pF @100V(Vds) 440pF @100V(Vds) 373pF @100V(Vds)
下降时间 13 ns 13 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 63W (Tc) 63W (Tc) 48W (Tc)
通道数 1 - -
漏源击穿电压 600 V - -
额定功率(Max) 63 W - -
长度 6.5 mm 6.5 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.3 mm 2.3 mm 2.41 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17