对比图
型号 GB20SLT12-247 IDH15S120 C4D20120A
描述 GENESIC SEMICONDUCTOR GB20SLT12-247 Silicon Carbide Schottky Diode, SiC, 1200V Series, Single, 1.2kV, 20A, 112NC, TO-247ACthinQ!™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管，InfineonInfineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。 Infineon thinQ!™ 肖特基二极管具有 600V、650V 和 1200V 电压选择。 Infineon 1200V 碳化硅二极管高效，且在 1200 V 操作时无损耗。 碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能，如更高的击穿电场强度和导热性，可提供更高效率水平。 此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器，InfineonWOLFSPEED C4D20120A 二极管, 碳化硅肖特基, SIC, Z-Rec 1200V系列, 单, 1.2 kV, 53.5 A, 99 nC, TO-220
数据手册 ---
制造商 GeneSiC Semiconductor Infineon (英飞凌) Wolfspeed
分类 TVS二极管肖特基二极管肖特基二极管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 2 2 2
封装 TO-247-2 TO-220-2 TO-220-2
额定功率 - - 242 W
负载电流 - - 20 A
正向电压 2V @20A 1.8 V 1.8V @20A
耗散功率 - - 242 W
反向恢复时间 0 ns 0 ns 0 ns
正向电流 20 A 15 A 53.5 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） - 78 A 130 A
正向电压(Max) 2V @20A 2.55 V 3 V
正向电流(Max) 67 A 15 A 20 A
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
工作结温 - - -55℃ ~ 175℃
工作结温(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
耗散功率(Max) 312000 mW - 242000 mW
长度 - 10.2 mm 10.41 mm
宽度 - 4.5 mm 4.699 mm
高度 - 15.95 mm 15.621 mm
封装 TO-247-2 TO-220-2 TO-220-2
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Not For New Designs Obsolete Active
包装方式 Each Tube Each
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -