FMH19N60E和SFF20N60B

对比图

型号 FMH19N60E SFF20N60B FMH19N60ES

描述 TO-3P N-CH 600V 19AN-CH 600V 20ATO-3P N-CH 600V 19A

数据手册 ---

制造商 FUJI (富士电机) Solid State Devices FUJI (富士电机)

分类 MOS管

安装方式 Through Hole - Through Hole

封装 TO-3 - TO-3

引脚数 3 - -

极性 N-CH N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 19A 20A 19A

漏源极电阻 0.365 Ω - -

耗散功率 315 W - -

输入电容 3600pF @25V - -

漏源击穿电压 600 V - -

热阻 0.4℃/W (RθJC) - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-3 - TO-3

长度 15.5 mm - -

高度 19.5 mm - -

产品生命周期 Active Active Active

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

RoHS标准 RoHS Compliant - -