1N828和JANS1N827-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N828 JANS1N827-1 1N821A

描述 温度补偿齐纳二极管基准二极管 TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES6.2与6.55伏温度补偿6.2和6.55伏温度补偿 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated6.2与6.55伏温度补偿齐纳二极管基准二极管 6.2 & 6.55 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 2 2

封装 DO-35-2 DO-35 DO-35-2

耗散功率 - 0.5 W 500 mW

测试电流 - 7.5 mA 7.5 mA

稳压值 6.2 V 6.2 V 6.2 V

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

容差 ±5 % - ±5 %

额定功率(Max) 500 mW - 500 mW

封装 DO-35-2 DO-35 DO-35-2

长度 - - 5.08 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tray Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃

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