DS2003CMX和ULN2004ADR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS2003CMX ULN2004ADR

描述 DS2003CMXTEXAS INSTRUMENTS  ULN2004ADR  晶体管阵列

数据手册 --

制造商 National Semiconductor (美国国家半导体) TI (德州仪器)

分类 接口芯片双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 16 16

封装 SOIC SOIC-16

额定电压(DC) - 50.0 V

额定电流 - 500 mA

针脚数 - 16

极性 - NPN

击穿电压(集电极-发射极) - 50 V

驱动器/包 7 7

集电极最大允许电流 - 0.5A

工作温度(Max) - 70 ℃

工作温度(Min) - -20 ℃

宽度 - 3.91 mm

封装 SOIC SOIC-16

工作温度 - -20℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

ECCN代码 - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台