IXTH200N075T和IXTP200N075T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTH200N075T IXTP200N075T IXTA200N075T

描述 Trans MOSFET N-CH 75V 200A 3Pin(3+Tab) TO-247TO-220 N-CH 75V 200ATO-263AA N-CH 75V 200A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 - -

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-263-3

通道数 1 - -

漏源极电阻 5 mΩ - -

耗散功率 430 W 430W (Tc) 430 W

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

漏源击穿电压 75 V - -

上升时间 57 ns - -

输入电容(Ciss) 6800pF @25V(Vds) 6800pF @25V(Vds) 6800pF @25V(Vds)

下降时间 52 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 430W (Tc) 430W (Tc) 430W (Tc)

极性 - N-CH N-CH

连续漏极电流(Ids) - 200A 200A

额定功率(Max) - - 430 W

长度 16.26 mm - -

宽度 5.3 mm - -

高度 21.46 mm - -

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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