SI7407DN-T1-E3和SI7613DN-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI7407DN-T1-E3 SI7613DN-T1-GE3

描述 MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8MOSFET Transistor, P Channel, -35A, -20V, 0.0072Ω, -4.5V, -1V

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 1212-8 PowerPAK-1212-8

引脚数 - 8

耗散功率 1.5W (Ta) 52.1 W

漏源极电压(Vds) 12 V -

耗散功率(Max) 1.5W (Ta) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)

漏源极电阻 - 0.0072 Ω

极性 - P-Channel

输入电容(Ciss) - 2620pF @10V(Vds)

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -50 ℃

封装 1212-8 PowerPAK-1212-8

长度 - 3.3 mm

宽度 - 3.3 mm

高度 - 1.04 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -50℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2014/06/16

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