对比图
描述 射频与微波晶体管 RF & MICROWAVE TRANSISTORSTrans RF BJT NPN 17.8A 4Pin Case M218微波功率晶体管NPN硅 MICROWAVE POWER TRANSISTOR NPN SILICON
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) M/A-Com
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Flange Screw Chassis
引脚数 4 4 4
封装 M138 M218 332A-03
耗散功率 5000 mW 600000 mW 290 W
击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V 70 V
增益 8.2 dB 6.2 dB 10.8 dB
最小电流放大倍数(hFE) 5 @300mA, 5V 15 @1A, 5V 10 @2.5A, 5V
额定功率(Max) 583 W 600 W 90 W
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 5000 mW 600000 mW -
极性 NPN - -
输出功率 150 W - -
高度 5.84 mm 5.84 mm -
封装 M138 M218 332A-03
工作温度 - 200℃ (TJ) -
材质 Silicon - -
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Bulk Bulk Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99