对比图
描述 RF POWER TRANSISTOR NPN SILICONTrans RF BJT NPN 16V 8A 117000mW射频与微波晶体管UHF移动应用程序 RF & MICROWAVE TRANSISTORS UHF MOBILE APPLICATIONS
数据手册 ---
制造商 Motorola (摩托罗拉) NTE Electronics ST Microelectronics (意法半导体)
分类 分立器件双极性晶体管
安装方式 - - Surface Mount
封装 - - M111
额定电压(DC) - - 16.0 V
额定电流 - - 8.00 A
击穿电压(集电极-发射极) - - 16 V
增益 - - 5.8 dB
最小电流放大倍数(hFE) - - 20 @1A, 5V
额定功率(Max) - - 117 W
耗散功率 - 117000 mW -
工作温度(Max) - 200 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 117000 mW -
封装 - - M111
工作温度 - - 200℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
包装方式 - - Tray
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free