CY14B108L-BA25XI和CY62158DV30L-55BVI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY14B108L-BA25XI CY62158DV30L-55BVI CY62158EV30LL-45BVXI

描述 8兆位( 1024K ×8 / 512K ×16 )的nvSRAM 8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM8兆位( 1024K ×8 ) MoBL静态RAM 8-Mbit (1024K x 8) MoBL Static RAMCY62158EV30 系列 8 Mb (1024 K x 8) 2.2 - 3.6 V 45 ns 静态RAM - VFBGA-48

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 FBGA-48 VFBGA VFBGA-48

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 48 - 48

封装 FBGA-48 VFBGA VFBGA-48

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free Lead Free Lead Free

电源电压(DC) - - 3.30 V, 3.60 V (max)

供电电流 75 mA - 25 mA

针脚数 - - 48

位数 - - 8

存取时间 - - 45 ns

存取时间(Max) 25 ns - 45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V - 2.2V ~ 3.6V

工作温度 -40℃ ~ 85℃ - -40℃ ~ 85℃ (TA)

ECCN代码 3A991.b.2.a - 3A991.b.2.a

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