对比图
型号 FDL100N50F IXFL100N50P FDI150N10
描述 UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。IXYS SEMICONDUCTOR IXFL100N50P 晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 500 V, 52 mohm, 10 V, 5 VN沟道 100V 57A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) IXYS Semiconductor ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 3 3 3
封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-262-3
安装方式 Through Hole Through Hole -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 100 V
上升时间 186 ns 29 ns 164 ns
输入电容(Ciss) 12000pF @25V(Vds) 20000pF @25V(Vds) 4760pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2500 W - 110 W
下降时间 105 ns 26 ns 83 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2500W (Tc) 625W (Tc) 110000 mW
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.043 Ω 0.052 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 2.5 kW 625 W -
阈值电压 5 V 5 V -
连续漏极电流(Ids) 100A 70.0 A -
隔离电压 - 2.50 kV -
通道数 1 - -
封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-262-3
长度 20 mm - -
宽度 5 mm - -
高度 20 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -