对比图
型号 IS42S16160D-7TL IS42S16160G-7TL MT48LC16M16A2TG-7E:D
描述 动态 RAM， ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAMRAM， ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAMDRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54Pin TSOP-II
数据手册 ---
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Micron (镁光)
分类 存储芯片存储芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 54 54 54
封装 TSOP-54 TSOP-54 TSOP-54
供电电流 130 mA 130 mA 135 mA
存取时间 5.4 ns 5.4 ns -
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ -
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -
电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3.3 V
工作电压 - 3V ~ 3.6V 3.30 V
位数 - 16 -
存取时间(Max) - 5.4 ns 5.4 ns
电源电压(Max) - 3.6 V -
电源电压(Min) - 3 V -
长度 22.42 mm 22.42 mm -
宽度 10.29 mm 10.29 mm -
高度 1.05 mm 1.05 mm -
封装 TSOP-54 TSOP-54 TSOP-54
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -
产品生命周期 Obsolete Active Unknown
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 无铅 PB free -
ECCN代码 - EAR99 -