BD440和BD440G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD440 BD440G BD440S

描述 塑料中功率硅PNP晶体管 Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor塑料中功率硅PNP晶体管 Plastic Medium Power Silicon PNP TransistorTrans GP BJT PNP 60V 4A 36000mW 3Pin(3+Tab) TO-126 Bag

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -

额定电流 -4.00 A -4.00 A -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @500mA, 1V 40 @500mA, 1V 40 @500mA, 1V

额定功率(Max) 36 W 36 W 36 W

频率 - 3 MHz 3 MHz

极性 - PNP -

耗散功率 - 36 W 36 W

集电极最大允许电流 - 4A -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 36000 mW 36000 mW

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Bulk Bulk Bag

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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