STB11NM65N和STP11NM65N

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STB11NM65N STP11NM65N STW14NM65N

描述 D2PAK N-CH 650V 12AN沟道650 V, 0.425 I©典型值,11是MDmeshâ ?? ¢ II功率MOSFET采用DPAK , TO- 220FP , I²PAKFP和TO- 220封装 N-channel 650 V, 0.425 Ω typ., 11 A MDmesh™II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, I²PAKFP and TO-220 packagesN沟道650 V, 0.33 Ω , 12一个的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 , TO- 220FP , D2PAK , I2PAK , TO- 247 N-channel 650 V, 0.33 Ω, 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 D2PAK TO-220-3 TO-247-3

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 -

极性 N-CH - -

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 12A - -

耗散功率 - 125 W 125 W

上升时间 - 13 ns -

输入电容(Ciss) - 800pF @50V(Vds) 1300pF @50V(Vds)

额定功率(Max) - 110 W 125 W

下降时间 - 20 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 110W (Tc) 125W (Tc)

封装 D2PAK TO-220-3 TO-247-3

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

工作温度 - 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

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