BUK7226-75A和BUK7226-75A,118

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK7226-75A BUK7226-75A,118 934056481118

描述 N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FETDPAK N-CH 75V 45APower Field-Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 DPAK TO-252-3 -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 158 W 158W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V -

连续漏极电流(Ids) 45A 45A -

上升时间 - 66 ns -

输入电容(Ciss) - 2385pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 158 W -

下降时间 - 41 ns -

耗散功率(Max) - 158W (Tc) -

封装 DPAK TO-252-3 -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

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