IRLS620A和LS-6

对比图

型号 IRLS620A LS-6

描述 先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFETPower Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220F, 3 PIN

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Samsung (三星)

分类 MOS管

封装 TO-220-3 TO-220

安装方式 Through Hole -

封装 TO-220-3 TO-220

长度 10.67 mm -

宽度 4.7 mm -

高度 16.3 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tube -

漏源极电阻 800 mΩ -

极性 N-Channel -

耗散功率 26 W -

漏源极电压(Vds) 200 V -

漏源击穿电压 200 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 4.10 A -

上升时间 6 ns -

下降时间 6 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free -

ECCN代码 EAR99 -