对比图
型号 IXTH160N10T IXTP160N10T IXTA160N10T7
描述 Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3Pin(3+Tab) TO-247N沟道 100V 160AMOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-263-7
耗散功率 430 W 430 W 430 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
上升时间 61 ns 61 ns 61 ns
输入电容(Ciss) 6600pF @25V(Vds) 6600pF @25V(Vds) 6600pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 430 W 430 W -
下降时间 42 ns 42 ns 42 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 430W (Tc) 430W (Tc) 430W (Tc)
通道数 - 1 1
漏源极电阻 - 7 mΩ 7 mΩ
极性 - N-CH -
漏源击穿电压 - 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) - 160A -
封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-263-7
长度 - 10.66 mm 10.2 mm
宽度 - 4.83 mm 9.4 mm
高度 - 9.15 mm 4.7 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free