IXTA5N50P和IXTU5N50P

对比图

型号 IXTA5N50P IXTU5N50P IRFW830BTM

描述 Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3Pin(2+Tab) D2PAKTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3Pin(3+Tab) TO-251Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-252-3 D2PAK

引脚数 3 3 -

漏源极电阻 - - 1.50 Ω

极性 - - N-Channel

耗散功率 89W (Tc) 89W (Tc) 3.13 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 - - 500 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 4.80 A - 4.50 A

额定电压(DC) 500 V - -

额定电流 5.00 A - -

输入电容 620 pF - -

栅电荷 12.6 nC - -

上升时间 26 ns 26 ns -

输入电容(Ciss) 620pF @25V(Vds) 620pF @25V(Vds) -

下降时间 24 ns 24 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 89W (Tc) 89W (Tc) -

封装 TO-263-3 TO-252-3 D2PAK

产品生命周期 Last Time Buy End of Life Unknown

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - - EAR99

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -