71T75602S166BG和IDT71T75602S200BG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71T75602S166BG IDT71T75602S200BG 71T75602S166BGI

描述 IC SRAM 18Mbit 166MHz 119BGA512K ×36 , 1M ×18 2.5V同步ZBT⑩ SRAM的2.5VI / O,突发计数器输出流水线 512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT⑩ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined OutputsSRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 512K x 36 3.5ns 119Pin BGA Tray

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 119 - 119

封装 PBGA-119 BGA-119 BGA-119

存取时间 3.5 ns - 3.5 ns

工作温度(Max) 70 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 40 ℃

电源电压 2.375V ~ 2.625V 2.375V ~ 2.625V 2.375V ~ 2.625V

电源电压(Max) 2.625 V - 2.625 V

电源电压(Min) 2.375 V - 2.375 V

长度 14 mm - 14 mm

宽度 22 mm - 22 mm

高度 2.15 mm - 2.15 mm

封装 PBGA-119 BGA-119 BGA-119

厚度 2.15 mm - 2.15 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - 3A991 -

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