IRFU3710Z和IRFU3710Z-701PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFU3710Z IRFU3710Z-701PBF IRFU3710ZPBF

描述 IPAK N-CH 100V 56APower Field-Effect Transistor, 42A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, LEAD FREE, PLASTIC, IPAK-3INFINEON  IRFU3710ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

封装 TO-251-3 - TO-251-3

引脚数 - - 3

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 42.0 A - -

极性 N-Channel - N-CH

耗散功率 140W (Tc) - 140 W

产品系列 IRFU3710Z - -

漏源极电压(Vds) 100 V - 100 V

连续漏极电流(Ids) 42.0 A - 56A

上升时间 43 ns - -

输入电容(Ciss) 2930pF @25V(Vds) - 2930pF @25V(Vds)

下降时间 42 ns - -

耗散功率(Max) 140W (Tc) - 140W (Tc)

额定功率 - - 140 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.018 Ω

阈值电压 - - 4 V

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-251-3 - TO-251-3

长度 - - 6.6 mm

宽度 - - 2.3 mm

高度 - - 6.1 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead - 无铅

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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