对比图
型号 FDG6320C_NL FDG6322C FDG6322C_NL
描述 Dual N & P Channel Digital FETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6322C 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 220 mA, 25 V, 2.6 ohm, 4.5 V, 850 mVDual N & P Channel Digital FET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 6 -
封装 SC-70 SC-70-6 SC-70
额定电流 - 220 mA -
针脚数 - 6 -
漏源极电阻 - 2.6 Ω -
极性 N+P N-Channel, P-Channel, Dual N-Channel, Dual P-Channel N+P
耗散功率 - 300 mW -
阈值电压 - 850 mV -
输入电容 - 114 pF -
栅电荷 - 1.40 nC -
漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 25 V
漏源击穿电压 - ±25.0 V -
栅源击穿电压 - ±8.00 V -
连续漏极电流(Ids) 0.22A/0.14A 220 mA 0.22A/0.41A
上升时间 - 8.00 ns -
输入电容(Ciss) - 9.5pF @10V(Vds) -
额定功率(Max) - 300 mW -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 0.3 W -
长度 - 2 mm -
宽度 - 1.25 mm -
高度 - 1 mm -
封装 SC-70 SC-70-6 SC-70
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Active Unknown
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99