对比图
型号 SI2305CDS-T1-GE3 SI5980DU-T1-GE3 SQ4410EY-T1-GE3
描述 VISHAY SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -5.8A, -8V, 0.028Ω, -4.5V, -1VMOSFET 100V 2.5A 7.8W 0.567Ω @ 10VSQ4410EY-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 15A, 30V, 8Pin SOIC
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - - 8
封装 SOT-23-3 ChipFET-8 SOIC
漏源极电阻 - - 0.009 Ω
极性 - - N-Channel
耗散功率 960mW (Ta), 1.7W (Tc) - 5 W
阈值电压 - - 2 V
漏源极电压(Vds) 8 V 100 V 30 V
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
输入电容(Ciss) 960pF @4V(Vds) 78pF @50V(Vds) -
额定功率(Max) - 7.8 W -
耗散功率(Max) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) - -
封装 SOT-23-3 ChipFET-8 SOIC
长度 - 3.05 mm -
宽度 - 1.65 mm -
高度 - 1.1 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free