对比图
型号 2SC1213 MPSA62 2N2925
描述 NPN硅外延 Silicon NPN Epitaxial达林顿晶体管（ PNP硅） Darlington Transistors(PNP Silicon)NTE ELECTRONICS 2N2925 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50V, 360mW, 100mA, 400 hFE
数据手册 ---
制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) ON Semiconductor (安森美) NTE Electronics
分类 双极性晶体管双极性晶体管
引脚数 - 3 3
封装 - TO-92 TO-226
耗散功率 - 625 mW 360 mW
工作温度(Max) - 150 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 625 mW -
极性 - - NPN
直流电流增益(hFE) - - 400
封装 - TO-92 TO-226
产品生命周期 Not Recommended Unknown Active
包装方式 - Bulk -
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -
ECCN代码 - EAR99 -