SI8261BAC-C-ISR和SI8261BBC-C-IP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI8261BAC-C-ISR SI8261BBC-C-IP SI8261BCC-C-IS

描述 4A Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1Channel 8-SOICSILICON LABS  SI8261BBC-C-IP  数字隔离器, 1通道, 40 ns, 5 V, 30 V, DIP, 8 引脚SILICON LABS  SI8261BCC-C-IS  数字隔离器, 1通道, 40 ns, 5 V, 30 V, NSOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 Silicon Labs (芯科) Silicon Labs (芯科) Silicon Labs (芯科)

分类 接口隔离器接口隔离器接口隔离器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 DIP-8 NSOIC-8

电源电压(DC) - 5.00V (min) 5.00V (min)

上升/下降时间 5.5ns, 8.5ns 5.5ns, 8.5ns 5.5ns, 8.5ns

输出接口数 - 2 2

输出电压 - - 0.25 V

输出电流 - - 4 A

通道数 1 1 1

针脚数 - 8 8

正向电压 2.8V (Max) 2.8V (Max) 2.8V (Max)

耗散功率 300 mW 300 mW 300 mW

上升时间 - - 5.5 ns

隔离电压 3750 Vrms 3750 Vrms 3750 Vrms

正向电流 30 mA 30 mA 30 mA

下降时间 - - 8.5 ns

下降时间(Max) - 20 ns 20 ns

上升时间(Max) - 15 ns 15 ns

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 300 mW

电源电压(Max) - 30 V 30 V

电源电压(Min) - 5 V 5 V

电源电压 6.5V ~ 30V - -

长度 - 9.9 mm 4.8 mm

宽度 - 6.6 mm 3.8 mm

高度 - 3.43 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 DIP-8 NSOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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