BSO094N03S和SI4410DYTRPBF

对比图

型号 BSO094N03S SI4410DYTRPBF FDS4897C

描述 OptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-TransistorINFINEON  SI4410DYTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4897C  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.2 A, 40 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 PG-DSO-8 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 - 8 8

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 13.0 A - -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel, P-Channel

耗散功率 1.56 W 2.5 W 2 W

输入电容 2.30 nF 1585 pF -

栅电荷 18.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 13.0 A - 6.2A/4.4A

上升时间 4.4 ns 7.7 ns -

输入电容(Ciss) 2300pF @15V(Vds) 1585pF @15V(Vds) 760pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 1.56 W 2.5 W 900 mW

下降时间 4.4 ns 44 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.56W (Ta) 2.5W (Ta) 2000 mW

通道数 - 1 -

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.01 Ω 0.021 Ω

阈值电压 - 1 V 1.9 V

漏源击穿电压 - 30 V -

长度 4.9 mm 4.9 mm 5 mm

宽度 3.9 mm 3.9 mm 4 mm

高度 1.75 mm 1.75 mm 1.5 mm

封装 PG-DSO-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - - EAR99