对比图
型号 BC308 PN2369 BC309
描述 1W General Purpose PNP Plastic Leaded Transistor. 25V Vceo, 0.1A Ic, 120 - 800 hFENPN开关晶体管 NPN Switching TransistorSILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
数据手册 ---
制造商 Continental Device Fairchild (飞兆/仙童) Continental Device
分类 双极性晶体管
安装方式 - Through Hole -
封装 - TO-226-3 -
额定电压(DC) - 15.0 V -
额定电流 - 200 mA -
耗散功率 - 350 mW -
击穿电压(集电极-发射极) - 15 V -
最小电流放大倍数(hFE) - 40 @10mA, 1V -
最大电流放大倍数(hFE) - 120 -
额定功率(Max) - 350 mW -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - 55 ℃ -
长度 - 5.2 mm -
宽度 - 4.19 mm -
高度 - 5.33 mm -
封装 - TO-226-3 -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown
包装方式 - Bulk -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Contains Lead -
ECCN代码 - EAR99 -