BC308和PN2369

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC308 PN2369 BC309

描述 1W General Purpose PNP Plastic Leaded Transistor. 25V Vceo, 0.1A Ic, 120 - 800 hFENPN开关晶体管 NPN Switching TransistorSILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

数据手册 ---

制造商 Continental Device Fairchild (飞兆/仙童) Continental Device

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

封装 - TO-226-3 -

额定电压(DC) - 15.0 V -

额定电流 - 200 mA -

耗散功率 - 350 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 15 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @10mA, 1V -

最大电流放大倍数(hFE) - 120 -

额定功率(Max) - 350 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

长度 - 5.2 mm -

宽度 - 4.19 mm -

高度 - 5.33 mm -

封装 - TO-226-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead -

ECCN代码 - EAR99 -

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