BSS123和BSS123L6327HTSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS123 BSS123L6327HTSA1 BSS123 L6327

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSS123  晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VSOT-23 N-CH 100V 0.17AINFINEON  BSS123 L6327  晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 3 ohm, 10 V, 1.4 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 360 mW 360mW (Ta) 360 mW

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 170 mA 0.17A 11.6 A

上升时间 9 ns 3.1 ns 3.1 ns

输入电容(Ciss) 73pF @25V(Vds) 69pF @25V(Vds) 69pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 360 mW 360 mW 360 mW

下降时间 2.4 ns 25 ns 25 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 0.36 W 360mW (Ta) 360 mW

额定电压(DC) 100 V - 100 V

额定电流 170 mA - 170 mA

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 1.2 Ω - 3 Ω

阈值电压 1.7 V - 1.4 V

输入电容 73.0 pF - 1.20 nF

栅电荷 2.50 nC - 49.0 nC

额定功率 250 mW - -

通道数 1 - -

漏源击穿电压 100 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 2.92 mm - 2.9 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

高度 0.93 mm - 1.1 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

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