对比图
型号 IRF3205PBF IRF3205ZPBF AUIRF3205
描述 N 通道功率 MOSFET 超过 100A，Infineon ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRF3205ZPBF 晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 110 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 4 VINFINEON AUIRF3205 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.008 Ω 0.0065 Ω 0.008 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 150 W 170 W 200 W
阈值电压 4 V 4 V 2 V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 110A 110A 110A
上升时间 101 ns 95 ns 101 ns
输入电容(Ciss) 3247pF @25V(Vds) 3450pF @25V(Vds) 3247pF @25V(Vds)
下降时间 65 ns 67 ns 65 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 200000 mW 170000 mW 200W (Tc)
额定功率 150 W 170 W -
输入电容 3247 pF 3450 pF -
漏源击穿电压 55 V 55 V -
额定功率(Max) 200 W 170 W -
长度 10.67 mm 10.54 mm 10.67 mm
宽度 4.69 mm 4.69 mm 4.83 mm
高度 8.77 mm 8.77 mm 9.02 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17