TCDT1102和TCDT1102G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TCDT1102 TCDT1102G

描述 DIP6 通孔 单通道 32 V 3750 Vrms 光电晶体管输出 光耦合器VISHAY  TCDT1102G..  光耦合器

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 光耦合器/光隔离器光耦合器/光隔离器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 6 6

封装 DIP-6 DIP-6

上升/下降时间 7µs, 6.7µs 7µs, 6.7µs

输出电压 32.0 V 32.0 V, 32.0 V (max)

通道数 1 1

针脚数 6 6

正向电压 1.25 V 1.25 V

输入电流 50.0 mA 50.0 mA

耗散功率 250 mW 250 mW

上升时间 7 µs 7 µs

隔离电压 5 kV 5 kV

输出电压(Max) 32 V 32 V

输入电流(Min) - 60 mA

正向电压(Max) 1.6 V 1.6 V

正向电流(Max) 60 mA 60 mA

下降时间 6.7 µs 6.7 µs

工作温度(Max) 100 ℃ 100 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 250 mW 250 mW

正向电流 60 mA -

高度 3.81 mm 3.81 mm

封装 DIP-6 DIP-6

长度 8.8 mm -

宽度 6.4 mm -

工作温度 -55℃ ~ 110℃ -55℃ ~ 110℃

产品生命周期 Active Not Recommended for New Design

包装方式 Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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