对比图
型号 IXTP52P10P IXTQ52P10P
描述 P沟道 100V 52AP沟道 100V 52A
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-3-3
极性 P-CH P-CH
耗散功率 300 W 300 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 52A 52A
上升时间 29 ns 29 ns
输入电容(Ciss) 2845pF @25V(Vds) 2845pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 300 W
下降时间 22 ns 22 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc)
封装 TO-220-3 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free