IXFH14N60P3和IXFP14N60P3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH14N60P3 IXFP14N60P3 IXFP14N60P

描述 N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3Pin(3+Tab) TO-220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 14.0 A

通道数 - 1 1

漏源极电阻 - - 550 mΩ

极性 N-CH - N-Channel

耗散功率 327W (Tc) 327W (Tc) 300 W

输入电容 - - 2.30 nF

栅电荷 - - 38.0 nC

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 - - 600 V

连续漏极电流(Ids) 14A - 14.0 A

上升时间 15 ns - 27 ns

输入电容(Ciss) 1480pF @25V(Vds) 1480pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds)

下降时间 16 ns - 26 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 327W (Tc) 327W (Tc) 300W (Tc)

长度 16.26 mm 10.66 mm 10.66 mm

宽度 5.3 mm 4.83 mm 4.83 mm

高度 21.46 mm 16 mm 9.15 mm

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active End of Life Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司