对比图
型号 IRF6706S2TR1PBF IRF6706S2TRPBF
描述 Direct-FET N-CH 25V 17ADirect-FET N-CH 25V 17A
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 DirectFET-S1 DirectFET-S1
通道数 - 1
漏源极电阻 - 6.5 mΩ
极性 N-CH N-CH
耗散功率 26 W 26 W
漏源极电压(Vds) 25 V 25 V
漏源击穿电压 - 25 V
连续漏极电流(Ids) 17A 17A
输入电容(Ciss) 1810pF @13V(Vds) 1810pF @13V(Vds)
耗散功率(Max) 1.8W (Ta), 26W (Tc) 1.8W (Ta), 26W (Tc)
长度 4.85 mm 4.85 mm
宽度 3.95 mm 3.95 mm
高度 0.74 mm 0.74 mm
封装 DirectFET-S1 DirectFET-S1
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free