610P和IRFB4610

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 610P IRFB4610 AUIRFB4610

描述 Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3TO-220AB N-CH 100V 73AINFINEON  AUIRFB4610  晶体管, MOSFET, N沟道, 73 A, 100 V, 0.011 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 - TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - - 3

极性 - N-CH N-Channel

耗散功率 - 190W (Tc) 190 W

漏源极电压(Vds) - 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) - 73A 73A

输入电容(Ciss) - 3550pF @50V(Vds) 3550pF @50V(Vds)

耗散功率(Max) - 190W (Tc) 190W (Tc)

额定功率 - - 190 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.011 Ω

阈值电压 - - 2 V

上升时间 - - 87 ns

下降时间 - - 70 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 - TO-220-3 TO-220-3

长度 - - 10.66 mm

宽度 - - 4.82 mm

高度 - - 16.51 mm

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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