PHE13003C,412和PHD13003C,412

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PHE13003C,412 PHD13003C,412 STBV32G

描述 PHE13003C,412 袋装双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Single NPN 1.5A 2.1W高压快速开关NPN功率晶体管 High voltage fast-switching NPN power transistor

数据手册 ---

制造商 We En Semiconductor We En Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-92-3

引脚数 3 - -

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 400 V

集电极最大允许电流 1.5A 1.5A 1.5A

最小电流放大倍数(hFE) 5 @1A, 2V 5 @1A, 2V 5 @1A, 2V

额定功率(Max) 2.1 W 2.1 W 1.5 W

额定功率 2.1 W 2.1 W -

耗散功率 2.1 W 2.1 W -

最大电流放大倍数(hFE) - 25 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 17 - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 2100 mW - -

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-92-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台