OP200GS和OP200GSZ

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 OP200GS OP200GSZ NE5532DR2G

描述 双低失调,低功耗运算放大器 Dual Low Offset, Low Power Operational AmplifierANALOG DEVICES  OP200GSZ  运算放大器, 双路, 500 kHz, 2个放大器, 0.15 V/µs, ± 3V 至 ± 18V, WSOIC, 16 引脚ON SEMICONDUCTOR  NE5532DR2G  运算放大器, 双路, 10 MHz, 2个放大器, 9 V/µs, ± 3V 至 ± 20V, WSOIC, 16 引脚

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ON Semiconductor (安森美)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 16 16 16

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

供电电流 570 µA 570 µA 8 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 110 dB 130 dB 70 dB

转换速率 150 mV/μs 150 mV/μs 9.00 V/μs

增益频宽积 500 kHz 500 kHz 10 MHz

输入阻抗 125 GΩ 125 GΩ -

输入补偿电压 80 µV 80 µV 500 µV

输入偏置电流 100 pA 100 pA 200 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

增益带宽 500 kHz 500 kHz 10 MHz

共模抑制比(Min) 110 dB 110 dB 70 dB

电源电压(DC) - - 22.0V (max)

无卤素状态 - - Halogen Free

针脚数 - 16 16

耗散功率 - - 1.2 W

带宽 - 500 kHz 10 MHz

耗散功率(Max) - - 1200 mW

电源电压(Max) - 18 V -

电源电压(Min) - 3 V -

长度 10.5 mm 10.5 mm 10.45 mm

宽度 7.6 mm 7.6 mm 7.6 mm

高度 2.35 mm 2.35 mm 2.4 mm

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 End of Life Active Active

包装方式 Tube Tube Cut Tape (CT)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

军工级 Yes Yes -

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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