对比图
型号 IXTK32P60P IXTX32P60P
描述 Trans MOSFET P-CH 600V 32A 3Pin(3+Tab) TO-264P沟道 600V 32A
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-264-3 TO-247-3
耗散功率 890 W 890W (Tc)
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V
上升时间 27 ns 27 ns
输入电容(Ciss) 11100pF @25V(Vds) 11100pF @25V(Vds)
下降时间 33 ns 33 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 890W (Tc) 890W (Tc)
封装 TO-264-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free