对比图
型号 MRF581AG MRF587 BFR96
描述 Trans RF BJT NPN 18V 0.2A 4Pin Macro-X射频线NPN硅高频晶体管噪声系数3.0分贝@ 500MHz的 The RF Line NPN Silicon High Frequency Transistor Noise Figure 3.0 dB@ 500MHzRF Small Signal Bipolar Transistor, 0.075A I(C), 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.28INCH, PM-4
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) M/A-Com Advanced Semiconductor
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount - -
引脚数 4 - -
封装 Macro-X 244A-01 -
耗散功率 1250 mW 5 W -
击穿电压(集电极-发射极) 15 V 17 V -
增益 13dB ~ 15.5dB 13 dB -
最小电流放大倍数(hFE) 90 @50mA, 5V 50 @50mA, 5V -
额定功率(Max) 1.25 W - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -65 ℃ - -
耗散功率(Max) 1250 mW - -
极性 - NPN -
高度 2.54 mm - -
封装 Macro-X 244A-01 -
工作温度 150℃ (TJ) - -
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Bulk Tray -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free Lead Free -