UMX3NTR和UMZ1NTR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 UMX3NTR UMZ1NTR UMX4NTR

描述 ROHM  UMX3NTR  双极晶体管阵列, 双路, NPN, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-363ROHM  UMZ1NTR  双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-363UMX4N 系列 20 V 50 mA 双通道 NPN 高转换频率 晶体管-SC-88

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

额定电流 150 mA 150 mA 50.0 mA

额定功率 - 0.15 W -

针脚数 6 6 -

极性 NPN NPN, PNP NPN

耗散功率 150 mW 150 mW 150 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 20 V

集电极最大允许电流 0.15A 0.15A 0.05A

最小电流放大倍数(hFE) 120 @1mA, 6V 120 @1mA, 6V 56 @10mA, 10V

额定功率(Max) 150 mW 150 mW 150 mW

直流电流增益(hFE) 120 120 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 150 mW 150 mW 150 mW

频率 180 MHz - 1500 MHz

额定电压(DC) 50.0 V - 18.0 V

集电极击穿电压 60.0 V - 30.0 V

最大电流放大倍数(hFE) 560 - 270

增益频宽积 180 MHz - -

长度 2 mm 2 mm 2 mm

宽度 1.25 mm 1.25 mm 1.25 mm

高度 0.9 mm 0.9 mm 0.9 mm

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

材质 - Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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