IXTH102N20T和IXTT96N20P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTH102N20T IXTT96N20P IXFV96N20P

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 102A Automotive 3Pin(3+Tab) TO-247ADTrans MOSFET N-CH 200V 96A 3Pin(2+Tab) TO-268Trans MOSFET N-CH 200V 96A 3Pin(3+Tab) PLUS 220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-220-3

耗散功率 750 W 600 W 600W (Tc)

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

上升时间 26 ns 30 ns 30 ns

输入电容(Ciss) 6800pF @25V(Vds) 4800pF @25V(Vds) 4800pF @25V(Vds)

下降时间 25 ns 30 ns 30 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 750W (Tc) 600W (Tc) 600W (Tc)

通道数 1 1 -

漏源极电阻 23 mΩ 24 mΩ -

阈值电压 - 5 V -

漏源击穿电压 200 V 200 V -

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-220-3

长度 16.26 mm 14 mm -

宽度 5.3 mm 16.05 mm -

高度 21.46 mm 5.1 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 End of Life Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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