对比图
型号 2MBI200N-060 CM200DU-12H FMG2G200US60
描述 Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 780000mW 7Pin Case M-233POWEREX CM200DU-12H IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 200A, 600V, 650W, 600V, Module成型类型模块 Molding Type Module
数据手册 ---
制造商 FUJI (富士电机) Powerex Fairchild (飞兆/仙童)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 - Chassis Screw
引脚数 7 7 7
封装 M233 Module 7PM-HA
额定电压(DC) - 600 V 600 V
额定电流 - 200 A 200 A
耗散功率 780 W 650 W 695000 mW
击穿电压(集电极-发射极) - 600 V 600 V
额定功率(Max) - 650 W 695 W
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - - -40 ℃
耗散功率(Max) - - 695000 mW
极性 N-Channel Dual N-Channel -
输入电容(Cies) - 17.6nF @10V -
上升时间 600 ns - -
隔离电压 2.50 kV - -
高度 - - 30 mm
封装 M233 Module 7PM-HA
工作温度 - - -40℃ ~ 150℃ (TJ)
重量 180 g - -
产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown
包装方式 - - Box
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99