KSA1220AY和KSA1220AYSTSTU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSA1220AY KSA1220AYSTSTU KSA1220AYS

描述 Power Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 PinTrans GP BJT PNP 120V 1.2A 3Pin(3+Tab) TO-126 RailON Semiconductor KSA1220AYS , PNP 晶体管, 1.2 A, Vce=160 V, HFE:60, 1 MHz, 3引脚 TO-126封装

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 - TO-126-3 TO-126-3

针脚数 - - 3

耗散功率 - 20 W 20 W

击穿电压(集电极-发射极) - 160 V 160 V

最小电流放大倍数(hFE) - 160 @300mA, 5V 160 @300mA, 5V

额定功率(Max) - 1.2 W 1.2 W

直流电流增益(hFE) - - 160

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - - 20 W

额定电压(DC) - -160 V -

额定电流 - -1.20 A -

极性 - PNP -

增益频宽积 - 175 MHz -

集电极最大允许电流 - 1.2A -

最大电流放大倍数(hFE) - 320 -

长度 - 8 mm 8 mm

宽度 - 3.25 mm 3.25 mm

高度 - 11 mm 11 mm

封装 - TO-126-3 TO-126-3

材质 - - Silicon

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - Tube Bag

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -

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