2N3634L和JANSR2N3634

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N3634L JANSR2N3634 JANTX2N3634

描述 PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTORTO-39 PNP 140V 1APNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-39-3 TO-39 TO-39

耗散功率 - - 1 W

击穿电压(集电极-发射极) 140 V 140 V 140 V

最小电流放大倍数(hFE) 50 @50mA, 10V - 50 @50mA, 10V

额定功率(Max) 1 W - 1 W

工作温度(Max) - - 200 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 1000 mW

极性 PNP PNP -

集电极最大允许电流 1A 1A -

封装 TO-39-3 TO-39 TO-39

材质 - - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - Bag

RoHS标准 RoHS Compliant - Non-Compliant

含铅标准 -

ECCN代码 - - EAR99

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