MT49H32M18CBM-18:A和MT49H32M18BM-33:B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT49H32M18CBM-18:A MT49H32M18BM-33:B MT49H32M18FM-25E:B

描述 DRAM Chip RLDRAM 576Mbit 32Mx18 1.8V 144Pin UBGA TrayDRAM Chip RLDRAM 576Mbit 32Mx18 1.8V 144Pin MBGA TrayIc Rldram 576Mbit 2.5ns 144ubga

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 144 144 -

封装 BGA BGA-144 TFBGA-144

工作电压 1.80 V 1.80 V 1.80 V

位数 18 18 -

工作温度(Max) 95 ℃ 95 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -

电源电压 - 1.8 V 1.7V ~ 1.9V

高度 0.68 mm - -

封装 BGA BGA-144 TFBGA-144

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free PB free 无铅

工作温度 - 0℃ ~ 95℃ 0℃ ~ 95℃

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