对比图
型号 IPP80N06S207AKSA1 IPP80N06S207AKSA4
描述 Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N06S207AKSA1, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装N沟道 55V 80A
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3-1 TO-220-3
极性 N-CH N-CH
耗散功率 250W (Tc) 250W (Tc)
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 80A 80A
上升时间 35 ns 37 ns
输入电容(Ciss) 3400pF @25V(Vds) 3400pF @25V(Vds)
下降时间 31 ns 36 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 250W (Tc) 250W (Tc)
长度 10 mm 10 mm
宽度 4.4 mm 4.4 mm
高度 15.65 mm 15.65 mm
封装 TO-220-3-1 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active
包装方式 - Tube
RoHS标准
含铅标准 Lead Free 无铅