2N6759和VN2450N8-G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6759 VN2450N8-G

描述 N沟道 350V 4.5ATrans MOSFET N-CH 500V 0.25A 3Pin SOT-89 T/R

数据手册 --

制造商 Harris Microchip (微芯)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

封装 TO-3 SOT-89-3

额定功率 - 1.6 W

通道数 - -

漏源极电阻 - -

极性 - -

耗散功率 - 1.6 W

漏源极电压(Vds) - 500 V

漏源击穿电压 - -

栅源击穿电压 - -

连续漏极电流(Ids) - -

上升时间 - 10 ns

输入电容(Ciss) - 150pF @25V(Vds)

下降时间 - 20 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 1.6W (Ta)

宽度 - -

封装 TO-3 SOT-89-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon

产品生命周期 Obsolete Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅

ECCN代码 - -

HTS代码 - -

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