IS43TR85120AL-125KBLI和IS43TR85120AL-125KBLI-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43TR85120AL-125KBLI IS43TR85120AL-125KBLI-TR

描述 4G, 1.35V, DDR3L, 512Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (9mm x10.5mm) RoHS, IT动态随机存取存储器 4G, 1.35V, 1600MT/s 512M x 8 DDR3L

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 78 78

封装 BGA-78 BGA-78

供电电流 150 mA -

时钟频率 800 MHz -

位数 8 8

存取时间 20 ns 20 ns

存取时间(Max) 20 ns 20 ns

工作温度(Max) 95 ℃ 95 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.283V ~ 1.45V 1.283V ~ 1.45V

封装 BGA-78 BGA-78

工作温度 -40℃ ~ 95℃ -40℃ ~ 95℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99

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